原裝進(jìn)口倍加福磁式傳感器,德國P+F磁式傳感器產(chǎn)品說(shuō)明
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產(chǎn)品名稱(chēng): 原裝進(jìn)口倍加福磁式傳感器,德國P+F磁式傳感器產(chǎn)品說(shuō)明
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產(chǎn)品展商: P+F
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原裝進(jìn)口倍加福磁式傳感器,德國P+F磁式傳感器產(chǎn)品說(shuō)明
圖中的磁路系統由圓柱形長(cháng)久磁鐵和極掌、圓筒形磁軛及空氣隙組成。
氣隙中的磁場(chǎng)均勻分布,測量線(xiàn)圈繞在筒形骨架上,經(jīng)膜片彈簧懸掛于氣隙磁場(chǎng)中。
當線(xiàn)圈與磁鐵間有相對運動(dòng)時(shí),線(xiàn)圈中產(chǎn)生的感應電勢e為
式中 B——氣隙磁通密度(T);
原裝進(jìn)口倍加福磁式傳感器,德國P+F磁式傳感器產(chǎn)品說(shuō)明
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指南針:地球會(huì )產(chǎn)生磁場(chǎng),如果你能測地球表面磁場(chǎng)就可以做指南針。電流傳感器:電流傳感器也是磁場(chǎng)傳感器。
電流傳感器可以用在家用電器、智能電網(wǎng)、電動(dòng)車(chē)、風(fēng)力發(fā)電等等。位置傳感器:
如果一個(gè)磁體和磁傳感器相互之間有位置變化,這個(gè)位置變化是線(xiàn)性的就是線(xiàn)性傳感器,如果轉動(dòng)的就是轉動(dòng)傳感器。
大家在生活中都用到很多磁傳感器,比如說(shuō)指南針,電腦硬盤(pán)、家用電器等等。
利用其逆轉換效應可構成力(矩)發(fā)生器和電磁激振器等。根據電磁感應定律,
當W匝線(xiàn)圈在均恒磁場(chǎng)內運動(dòng)時(shí),設穿過(guò)線(xiàn)圈的磁通為Φ,則線(xiàn)圈內的感應電勢e與磁通變化率dΦ/dt有如下關(guān)系:
根據這一原理,可以設計成變磁通式和恒磁通式兩種結構型式,構成測量線(xiàn)速度或角速度的磁電式傳感器。
變磁通式結構(a)旋轉型(變磁)); (b)平移型(變氣隙)
MTJ元件相對于霍爾元件具有更*的溫度穩定性,更*的靈敏度,更低的功耗,
更*的線(xiàn)性度,不需要額外的聚磁環(huán)結構;相對于A(yíng)MR元件具有更*的溫度穩定性,
—線(xiàn)圈切割磁力線(xiàn)而產(chǎn)生。這類(lèi)結構有兩種,如下圖所示。
恒磁通式結構 (a)動(dòng)圈式;(b)動(dòng)鐵式
圖中的磁路系統由圓柱形長(cháng)久磁鐵和極掌、圓筒形磁軛及空氣隙組成。
氣隙中的磁場(chǎng)均勻分布,測量線(xiàn)圈繞在筒形骨架上,經(jīng)膜片彈簧懸掛于氣隙磁場(chǎng)中。
當線(xiàn)圈與磁鐵間有相對運動(dòng)時(shí),線(xiàn)圈中產(chǎn)生的感應電勢e為
式中 B——氣隙磁通密度(T);
l——氣隙磁場(chǎng)中有效匝數為W的線(xiàn)圈總長(cháng)度(m)為l=laW(la為每匝線(xiàn)圈的平均長(cháng)度)
v——線(xiàn)圈與磁鐵沿軸線(xiàn)方向的相對運動(dòng)速度(ms-1)。
當傳感器的結構確定后,式(5-2)中B、la、W都為常數,感應電勢e僅與相對速度v有關(guān)。傳感器的靈敏度為
為提*靈敏度,應選用具有磁能積較大的長(cháng)久磁鐵和盡量小的氣隙長(cháng)度,以提*氣隙磁通密度B;
增加la和W也能提*靈敏度,但它們受到體積和重量、內電阻及工作頻率等因素的限制。
為了**傳感器輸出的線(xiàn)性度,要**線(xiàn)圈始終在均勻磁場(chǎng)內運動(dòng)。
設計者的任務(wù)是選擇合理的結構形式、材料和結構尺寸,以滿(mǎn)足傳感器基本**要求。
更*的靈敏度,更寬的線(xiàn)性范圍,不需要額外的set/reset線(xiàn)圈結構;
其中長(cháng)久磁鐵1(俗稱(chēng)“磁鋼”)與線(xiàn)圈4均固定,動(dòng)鐵心3(銜鐵)的運動(dòng)使氣隙5和磁路磁阻變化,
引起磁通變化而在線(xiàn)圈中產(chǎn)生感應電勢,因此又稱(chēng)變磁阻式結構。
在恒磁通式結構中,工作氣隙中的磁通恒定,感應電勢是由于長(cháng)久磁鐵與線(xiàn)圈之間有相對運動(dòng)
磁傳感器廣泛用于現代工業(yè)和電子產(chǎn)品中以感應磁場(chǎng)強度來(lái)測量電流、位置、方向等物理參數。
在現有技術(shù)中,有許多不同類(lèi)型的傳感器用于測量磁場(chǎng)和其他參數。
例如采用霍爾(Hall)元件,各向異性磁電阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)元件或
巨磁電阻(Giant Magnetoresistance, GMR)元件為敏感元件的磁傳感器。
TMR(Tunnel MagnetoResistance)元件是近年來(lái)開(kāi)始工業(yè)應用的新型磁電阻效應傳感器,
其利用的是磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應對磁場(chǎng)進(jìn)行感應,
比之前所發(fā)現并實(shí)際應用的AMR元件和GMR元件具有更大的電阻變化率。
我們通常也用磁隧道結(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)來(lái)代指TMR元件,
相對于GMR元件具有更*的溫度穩定性,更*的靈敏度,更低的功耗,更寬的線(xiàn)性范圍。
倍加福的磁式傳感器有M12的圓柱形外殼,應用于傳統的磁體檢測。同時(shí)也提供一種用于鋼質(zhì)液壓氣缸
,針對活塞位置的非接觸式檢測傳感器。此類(lèi)傳感器很容易安裝,不需要在氣缸上開(kāi)安裝槽或安裝孔。
磁傳感器就是把磁場(chǎng)、電流、應力應變、溫度、光等外界因素引起敏感元件磁**變化轉換成電信號,
以這種方式來(lái)檢測相應物理量的器件。磁傳感器分為三類(lèi):指南針、磁場(chǎng)感應器、位置傳感器。
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